مقاله


کد مقاله : 13981219235907

عنوان مقاله : کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظه‌های STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهره‌گیری از روش دوگان‌سازی منابع ولتاژ

نشریه شماره : 76 فصل زمستان 1398

مشاهده شده : 35

فایل های مقاله : 980 KB


نویسندگان

  نام و نام خانوادگی پست الکترونیک مرتبه علمی مدرک تحصیلی مسئول
1 حمیدرضا زرندی h_zarandi@aut.ac.ir دانشیار دکترا
2 شاهرخ جلیلیان sh.jalilian@isrc.ac.ir دانش آموخته کارشناسی ارشد

چکیده مقاله

یکی از مهم‌ترین مشکلات حافظه‌های STT-RAM امکان بروز خطا در این حافظه‌ها است. از عوامل اصلی رخداد خطا در این حافظه‌ها می‌توان به نوسانات فرایند ساخت، نوسانات دمایی و وابستگی رخداد خطا به توزیع داده‌ای اشاره کرد و بنابراین احتمال رخداد خطا با توجه به داده موجود در هر سلول با سلول دیگر متفاوت خواهد بود. روش‌های ارائه‌شده موجود عموماً بدون در نظر گرفتن رفتار حافظه در شرایط فیزیکی مختلف، اقدام به حل مشکلات حافظه‌ها کرده‌اند که در نتیجه با سربار زیادی در توان و مساحت همراه هستند. بنابراین نیاز به ارائه روشی احساس می‌شود که در سطوح پایین‌تر، احتمال رخداد خطا را در هنگام عمل نوشتن کاهش دهد، با در نظر گرفتن این امر که سربار توان غیر قابل قبولی ایجاد نکند. به منظور کاهش رخداد خطای نوشتن و همچنین پیش‌گیری از سربار توان زیاد، پیشنهادی ارائه شده که با توجه به داده، مسیر جداگانه‌ای برای نوشتن در نظر خواهد گرفت. هر کدام از مسیرها مشخصه‌ای مطابق با داده خواهند داشت که در نهایت منجر به کاهش حداکثری خطای نوشتن می‌شود. در این راستا از مشخصه دمایی سلول برای کاهش زمان عملیات نوشتن بهره گرفته خواهد شد. شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهد که اعمال این روش منجر به کاهش 38/11% زمان نوشتن در سلول حافظه شده که این دستاورد بدون سربار مساحت و یا توان نسبت به روش‌های موجود حاصل شده است.